眾所周知,這幾年隨著中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,美國對中國芯片產(chǎn)業(yè)的打壓就越來越厲害,并且目前這種針鋒相對仍在繼續(xù)。
特別是2023年,中國也不再慣著美國,對美國進(jìn)行了反擊,比如上個月,由于存在國家安全風(fēng)險,美光科技生產(chǎn)的產(chǎn)品在中國被限制銷售,中國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施不得采用美光的產(chǎn)品。
(資料圖片)
美光承認(rèn),目前總部位于中國大陸和香港的公司的收入,包括直接銷售和通過分銷商的間接銷售,約占美光全球收入的四分之一,其中有一半會受到影響。
那么實(shí)際算起來,大約就是38.5億美元營收將會受到影響,不是之前大家預(yù)計的最多美光11%左右的營收。
同時可以預(yù)料到,后續(xù)類似的這種針鋒相對,也許可能會更多,受影響的美國芯片企業(yè)也會更多。
不過在這中美半導(dǎo)體對抗的背后,我們還能發(fā)現(xiàn)另外一個事實(shí),那就是韓國的存儲芯片有可能會成為炮灰。
目前在存儲芯片領(lǐng)域,韓國是一家獨(dú)大,三星、SK海力士合計拿下了全球60%以上的份額,理論上是沒有對手的。
表面上看美光的產(chǎn)品在中國被限制,甚至還是三星、SK海力士一個機(jī)會。
大家別忘了,中國目前已經(jīng)有兩大存儲芯片企業(yè),一是長江存儲,主攻NAND閃存,目前已經(jīng)發(fā)布了232L Xtacking3.0 TLC芯片,比特密度高達(dá)15.0 Gb/mm2,這是迄今為止最高的比特密度,不輸三星、美光等。
另外DRAM企業(yè)長鑫存儲也推出了20nm級(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品,以及D1x(可能采用19nm D/R)樣品產(chǎn)品,正在為DDR5和LPDDR5/5X應(yīng)用開發(fā)n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代。
很明顯,中國存儲芯片,已經(jīng)有了取代國外存儲芯片產(chǎn)品的能力和實(shí)力。實(shí)話實(shí)說,如果沒有中美芯片對抗,那么消費(fèi)者可能還沒有那么的支持國產(chǎn)存儲芯片。
隨著中美芯片對抗,國產(chǎn)替代的呼聲越來越高,消費(fèi)者也就更多的使用國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)品。
比如這一次的618,大家可以看到國產(chǎn)SSD產(chǎn)品,國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品,已經(jīng)在銷售排名上非常靠前,打敗了眾多的國外存儲產(chǎn)品。
而中國存儲芯片產(chǎn)品崛起受影響最大的是誰?并不是美國芯片廠商,而是韓國芯片廠商前面已經(jīng)提到過三星SK海力士合計拿下了全球存儲芯片市場60%以上的份額。
韓國每年出口到中國的存儲芯片800億到1000億美元之間,而中國每年進(jìn)口的存儲芯片占全球35%以上。
如今中國存儲存芯片產(chǎn)品有了突破,那么必然會慢慢的減少進(jìn)口,自然受影響最大的就是韓國這兩大巨頭,三星和SK海力士,所以我說韓國存儲芯片產(chǎn)品,可能會成為中美半導(dǎo)體大戰(zhàn)的炮灰。
當(dāng)然這個過程并不是一朝一夕就能完成的,因?yàn)槟壳绊n國存儲芯片的優(yōu)勢太大了,韓國有60%以上的份額,而國產(chǎn)存儲芯片目前僅5%左右的份額相差,相差還有10倍以上。
但趨勢一旦形成就不可逆轉(zhuǎn),目前韓國也是憂心忡忡,因?yàn)樗麄円部吹搅诉@一點(diǎn)。
原文標(biāo)題 : 中美半導(dǎo)體大戰(zhàn),韓國存儲芯片可能會成為炮灰?
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